在現(xiàn)代電子設(shè)計中，高效能、低功耗的電源管理芯片是實現(xiàn)各類電子設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。BP2522D作為一款超低待機(jī)功耗非隔離降壓型恒壓驅(qū)動芯片，憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用場景，成為了眾多設(shè)計工程師的首選。本文將深入解析BP2522D芯片的基本原理與設(shè)計注意事項，旨在為相關(guān)領(lǐng)域的工程師提供詳盡的參考。

BP2522D芯片概述

BP2522D芯片專為輔助電源及其他應(yīng)用設(shè)計。其核心優(yōu)勢在于超低待機(jī)功耗，小于20mW，適用于120Vac和230Vac的輸入電壓范圍。該芯片支持固定12V或24V的輸出電壓，具備優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)能力，能夠有效減少音頻噪聲，并通過降幅調(diào)制技術(shù)與抖頻技術(shù)改善電磁干擾（EMI）。此外，BP2522D還具備±5%的輸出電壓精度、內(nèi)置軟啟動功能以及全面的保護(hù)機(jī)制，包括過載保護(hù)、短路保護(hù)、過溫保護(hù)和逐周期限流。內(nèi)部框架圖如下所示~

BP2522D基本原理

（一）工作原理

BP2522D內(nèi)部集成了高壓啟動和供電電路。系統(tǒng)上電后，母線電壓通過Drain引腳對Vcc電容充電，當(dāng)Vcc電壓達(dá)到芯片開啟閾值時，內(nèi)部控制電路開始工作。正常工作時，由Vout供電接入Vcc端，實現(xiàn)超低待機(jī)功耗，無需輔助繞組供電。

（二）恒壓原理

在功率管關(guān)斷階段，BP2522D采集Vcc電壓，通過調(diào)節(jié)內(nèi)部誤差放大器（EA）保持較高的輸出電壓精度。同時，Vcc電壓可用于監(jiān)測輸出過載、過壓和短路情況，提供相應(yīng)的保護(hù)。

（三）過溫保護(hù)

芯片內(nèi)置過溫保護(hù)模塊，確保系統(tǒng)始終處于安全可靠的工作狀態(tài)。當(dāng)芯片溫度超過設(shè)定閾值時，過溫保護(hù)機(jī)制將觸發(fā)，防止芯片因過熱而損壞。

（四）抖頻電路

BP2522D內(nèi)部的抖頻電路能夠分散諧波干擾能量，提高系統(tǒng)的EMI性能，使其更容易通過傳導(dǎo)和輻射測試。這種設(shè)計有助于降低電磁干擾，滿足嚴(yán)格的電磁兼容性要求。

（五）軟啟動

BP2522D具備軟啟動功能，通過分段增加峰值電流來減小開關(guān)應(yīng)力，避免輸出電壓過沖現(xiàn)象。軟啟動分為三個階段：第一階段Ipk1=0.4Ilimit，第二階段Ipk2=0.7Ilimit，第三階段Ipk3等于設(shè)置的Ilimit。在重載下啟動時，系統(tǒng)會觸發(fā)降頻模式，工作頻率降為滿載的1/4。

（六）控制模式

BP2522D根據(jù)負(fù)載情況自動切換工作模式?？蛰d或極輕載時，系統(tǒng)工作于脈沖頻率調(diào)制（PFM）模式，保持峰值電流不變，開關(guān)頻率隨機(jī)變化。輕載到滿載階段，系統(tǒng)切換至脈沖寬度調(diào)制（PWM）模式，隨著負(fù)載電流增大，峰值電流持續(xù)增大，開關(guān)頻率保持60KHz不變。BP2522D的最大工作頻率為60KHz，最大峰值電流可根據(jù)需求設(shè)置。

BP2522D設(shè)計注意事項

（一）電感選擇

BP2522D可工作于連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）、不連續(xù)導(dǎo)通模式（DCM）等多種模式。電感選擇需綜合考慮感量、峰值電流和平均電流。小感量電感能減小尺寸、降低成本并改善動態(tài)響應(yīng)，但會增大峰值電流和輸出紋波，降低系統(tǒng)效率。大感量電感可提高效率，但尺寸較大，動態(tài)響應(yīng)較慢。實際應(yīng)用中，需綜合考慮動態(tài)響應(yīng)、電感尺寸、效率、實際帶載電流和芯片溫升等因素，選擇合適的電感。電感計算公式為：

其中，Vin為最高輸入BUS電容電壓，f為滿載時的工作頻率，ΔIL為電感電流紋波，r為紋波系數(shù)。當(dāng)r=2時，系統(tǒng)工作在邊界導(dǎo)通模式（BCM）；當(dāng)負(fù)載電流大于150mA時，為避免芯片溫升過高，建議讓系統(tǒng)工作在BCM或DCM模式，紋波系數(shù)取2。以12V應(yīng)用為例，工作電流為240mA時，計算得電感量為447uH。此外，電感量還需滿足輕載導(dǎo)通時間限制，避免輕載時能量過高導(dǎo)致輸出電壓偏高。

（二）Rcs電阻選擇

Rcs電阻的選擇需綜合考慮負(fù)載電流和電感電流紋波，并留有余量。由于內(nèi)部比較器延遲，實際CS_TH略高于芯片內(nèi)部200mV基準(zhǔn)電壓。CS電阻計算公式為：

以BP2522D為例，持續(xù)輸出240mA，脈沖350mA，電感量為470uH，電感電流紋波為57mA。最大峰值電流為579mA，BP2522D內(nèi)部MOS管限制最大電流為750mA，留有一定余量，可取Rcs=0.3ohm。

（三）假負(fù)載選擇

其中，Rdummy為假負(fù)載電阻，L為電感感量，I為空載時Ipeak電流，F(xiàn)為空載時工作頻率。以265Vac母線電壓為例，F(xiàn)≈700Hz。計算得Rdummy≤23.6Kohm。實際應(yīng)用中，12V推薦使用22Kohm，24V推薦使用91Kohm。

（四）輸出電容選擇

輸出電容的選擇對輸出電壓紋波、系統(tǒng)動態(tài)響應(yīng)、環(huán)路穩(wěn)定性、輸出電壓過沖等有直接影響。在恒定輸出電流的CV模式下，輸出紋波主要由輸出電容的等效串聯(lián)電阻（ESR）和容量決定。紋波計算公式為：

（五）二極管選擇

Vout電壓與續(xù)流二極管的正向壓降（Vf）和供電二極管的Vf有關(guān)，尤其是重載下，續(xù)流二極管上的壓降損失較多會導(dǎo)致調(diào)整率變差。續(xù)流二極管推薦選用GPP工藝、42mil、ES1J超快恢復(fù)二極管；Vcc二極管推薦選用M7或A7。

（六）Layout設(shè)計

1. VCC電容應(yīng)盡量靠近芯片的VCC引腳，以減少寄生電感和電阻，確保穩(wěn)定的電源供應(yīng)。
2. 輸出回路（電感、輸出電容、續(xù)流二極管）的環(huán)路面積應(yīng)盡量小，以降低寄生電感和電阻，減少電磁干擾。
3. SEL腳不應(yīng)懸空，以防止外界干擾。
4. 若續(xù)流電感為工字電感，其磁場是開放的，易對周邊低磁阻器件（如EMI濾波電感、芯片及其周邊銅箔）造成影響，產(chǎn)生額外損耗和干擾。因此，應(yīng)用中相對敏感的器件應(yīng)遠(yuǎn)離工字電感。

（七）EMI設(shè)計

1. 輸入端采用π型濾波器（C+L+C），其中C的大小根據(jù)輸出功率確定，L一般選用1mH的色環(huán)電感。
2. 若續(xù)流電感采用工字型，前級濾波色環(huán)電感易受影響，因此兩個電感應(yīng)相距較遠(yuǎn)。
3. 為取得更好的傳導(dǎo)效果，可在輸入端增加一個X電容，對EMI低頻段有明顯抑制效果。對于輸出功率較小且PCB布局中輸入與輸出部分相距較遠(yuǎn)的情況，可取消X電容。
4. 為抑制CDN低頻端的差模干擾，可在Drain與GND之間并聯(lián)一個10pF/500V陶瓷電容，可有效改善EMI性能。

應(yīng)用參考

（一）12V/240mA應(yīng)用

• 輸入電壓范圍：Vac=90~265V/50Hz。
• 電感選擇：470uH（如EE10型號）。
• Rcs電阻：0.4ohm。
• Vcc二極管：M7或A7。
• 續(xù)流二極管：ES1J。
• 輸出電容：100uF/16V。

（二）24V/220mA應(yīng)用

• 輸入電壓范圍：Vac=90~265V/50Hz。
• 電感選擇：1mH（如EE10型號）。
• Rcs電阻：0.4ohm。
• Vcc二極管：M7或A7。
• 續(xù)流二極管：ES1J。
• 輸出電容：100uF/35V。

性能測試與評估

（一）待機(jī)功耗測試

在不同輸入電壓（90Vac、110Vac、120Vac、132Vac、176Vac、230Vac、265Vac）下，BP2522D的待機(jī)功耗測試結(jié)果如下：

（二）滿載效率測試

在不同輸入電壓（90Vac、110Vac、120Vac、132Vac、176Vac、230Vac、265Vac）下，BP2522D的滿載效率測試結(jié)果如下：

（三）負(fù)載調(diào)整率與線性調(diào)整率測試

在不同輸入電壓（90Vac、110Vac、120Vac、132Vac、176Vac、230Vac、265Vac）和不同負(fù)載電流（0mA、10mA、15mA、30mA、50mA、100mA、200mA、250mA）下，BP2522D的負(fù)載調(diào)整率和線性調(diào)整率測試結(jié)果如下：

總結(jié)